抑制性突觸后電位形成是突觸后膜對下列哪些離子通透性增加
編輯時(shí)間: 2019-10-14 13:48:04   來(lái)源:速來(lái)學(xué)整理sulaixue.com
抑制性突觸后電位形成是突觸后膜對下列哪些離子通透性增加
抑制性突觸后電位形成是突觸后膜對下列哪些離子通透性增加
A.Na+,K+,尤其是K+
B.Ca2+,Cl-,尤其是Ca2+
C.Na+,Cl-,尤其是Na+
D.K+,Cl-,尤其是Cl-
E.K+,Ca2+,Na+,尤其是Ca2+
答案:D
解析:抑制性突融后電位的形成是因為突觸后膜對Cl-(為主)和K+的通透性升高,引起Cl-的內流和K+的外流,使膜內負電位更負,引進(jìn)突觸后神經(jīng)元產(chǎn)生抑制。
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